SCJ-18-021                                                                                        
2018年10月30日

日本テキサス・インスツルメンツは、最大10kWの高電力アプリケーション向けに、動作電圧600V、オン抵抗が50mΩと70mΩの GaN（窒化ガリウム）FET（電界効果トランジスタ）を集積し、量産対応の新しいパワー・ステージ製品ポートフォリオを発表しました。新製品の『LMG341x』製品ファミリを使うことで、AC/DC電源、ロボティクス、再生可能エネルギー、グリッド・インフラストラクチャ、通信やパーソナル・エレクトロニクス製品などのアプリケーションにおいて、従来のシリコンベースのFET製品と比較して、より小型、より高効率で、より高性能の製品を設計できます。製品の詳細に関しては、『LMG3410R050』、『LMG3410R070』や『LMG3411R070』をご覧ください。

TIのGaN FET デバイス製品ファミリは、独自の機能や保護機能を集積し、従来のカスケード接続やスタンドアロンのGaN FET製品に対する、よりスマートな代替デバイスを提供することで、高電圧電源製品の設計を簡素化し、システムの信頼性を高め、性能の最適化を可能にします。動作が100ns以下の高速電流制限や過熱保護などの機能を集積したことで、不要な貫通電流事象に対する保護や、熱暴走を防止するほか、システム・インターフェイス信号によって、自己モニタも可能です。

『LMG3410R050』、『LMG3410R070』や『LMG3411R070』の特長と利点
・より小型、より高効率のソリューション: TIの統合GaN パワー・ステージは、シリコンベースのMOSFETと比較して、損失を80パーセント削減。各デバイスは高速の1MHzのスイッチング周波数、最大100V/nsのスルーレート特性を提供
・高いシステム信頼性: この製品ポートフォリオは、加速テストや、実際のアプリケーション内でのハード・スイッチング・テストなどを含む、2千万時間におよぶデバイス信頼性テストで検証済。さらに、各デバイスは過熱保護、100ns以下と高速の過電流保護が、貫通電流や短絡などに対する保護を提供
・すべての電力レベルに対応するデバイスを提供: この製品ポートフォリオのそれぞれのデバイスが50mΩや70mΩのオン抵抗特性を備えた1個のGaN FET、ドライバと保護機能を集積、100W以下から10kWまで、幅広い電力のアプリケーション向けにワンチップ・ソリューションを提供

ドイツ、ミュンヘンのelectronica 2018に出展
TIは2018年11月13日～16日にドイツのメッセ・ミュンヘンで開催されるelectronica　2018のホールC4、ブース131において、クラウド対応の10kWグリッド・リンクのデモンストレーションを行います。このTIとシーメンスの共同開発による実動デモンストレーションは、ドライバと保護機能を集積したTIの『LMG3410R050』 600V GaN FET パワー・ステージを搭載し、99パーセントの効率と、従来のシリコンベースの設計と比較して、電源部品の30パーセントの縮小が可能です。

パッケージ、供給と価格について
これらのデバイスはTI storeから、 8mm×8mmのスプリット・パッドQFNパッケージで供給中です。1,000個受注時の単価（参考価格）は『LMG3410R050』が18.69ドル、 『LMG3410R070』 と『LMG3411R070』 が16.45ドルです。

TIの『LMG3410R050』、『 LMG3410R070』と『LMG3411R070』に関する情報
・「ロボティクス、再生可能エネルギー、通信その他で実装面積を半減、電力を倍増するGaN半導体」 ブログ記事を参照、Power House blogでその他のGaN関連の記事を検索
・迅速な製品開発に役立つ『LMG3410EVM-018』、 『LMG3410-HB-EVM』 や『LMG3411EVM-029』 EVM（評価モジュール）
・アプリケーション・ノートをダウンロード
　　・「高電力密度の電源設計での過電流保護（英語）
　　・「GaN パワー・ステージの設計での発熱に関する注意）（英語）
・TIのコンプリートなGaN ソリューション製品ポートフォリオを参照

※すべての登録商標および商標はそれぞれの所有者に帰属します。