SCJ-15-014
2015年3月16日

日本テキサス・インスツルメンツは、1個の高周波ドライバとハーフ・ブリッジ構成された2個のGaN（窒化ガリウム）FET（電界効果トランジスタ）を使いやすいQFN（クワッド・フラット・ノーリード）パッケージに集積した業界初の完全集積型80V、10A GaN FETパワー・ステージのプロトタイプを発表しました。製品の詳細はhttp://www.tij.co.jp/lmg5200-pr-jpをご覧ください。

新しい『LMG5200』GaN FETパワー・ステージによって、スペースに制約のある産業、通信用高周波機器の電力密度や効率を向上する次世代GaN電力変換ソリューションの普及を加速できます。このパワー・ステージは米国ノースカロライナ州シャーロットで3月19日まで開催中のAPEC（Applied Power Electronics Conference）のTIブース（#1001）で、48Vデジタル電源の一部として出展予定です。TIの展示の詳細についてはhttp://www.ti.com/APEC15をご覧ください。

TIのハイボルテージ・パワー・ソリューション・ビジネス担当バイス・プレジデントのスティーブ・ランブーサス（Steve Lambouses）は「GaNベースの電源ICで最大の障壁は、GaN FETの駆動にまつわる不確定さと、パッケージや設計レイアウトにより発生する寄生インダクタンスでした」と述べ、さらに「TIは、最適化した集積モジュール、ドライバ、高周波コントローラによる信頼性が高く包括的な電力変換を、先進的で使いやすいパッケージで提供し、GaN技術の持つ潜在能力の実現を可能にしました」と語りました。

GaN半導体の利点を発揮
通常、設計にスイッチング周波数の高いGaN FETを使用する場合、基板レイアウトでリンギングやEMI（電磁障害）の防止への入念な配慮が必要です。TIの『LMG5200』80Vデュアル・パワー・ステージ・プロトタイプは、こうした問題を解消するとともに、重要なゲート・ドライブ・ループの寄生インダクタンスをパッケージ内に収めることによって低減し、パワー・ステージの効率を向上しています。『LMG5200』は先進的なマルチチップ・パッケージ技術を採用し、スイッチング周波数が最大5MHzの各種電力変換トポロジ向けに最適化されています。

6 × 8mmのQFNパッケージは使いやすく、アンダーフィルが不要なため、製造が大幅に簡素化されます。こうしたサイズの低減によりGaN技術の持つメリットがさらに高まっており、新しい高周波ワイヤレス充電器から、48Vの通信や産業機器の電源設計に至るまで、多数の用途でGaN電源ICの普及を可能にします。TIの包括的なGaNソリューションの詳細はhttp://www.tij.co.jp/gan-pr-jpをご覧ください。

業界初の集積型80Vハーフ・ブリッジGaNパワー・ステージ『LMG5200』の特長
・最高の電力密度: シリコンICと比較し、電力損失を25パーセント低減し、電力変換をシングル・ステージで実現
・包括的なGaN製品専用の品質プログラムにより信頼性を向上: 詳細はこちら（英文）
・パッケージによる寄生インダクタンスを最小化: 敏感なゲート・ドライブ・ループでの寄生インダクタンスを最小化し、パワー・ステージの効率向上とともに、EMI低減とdV/dtへの耐性を強化
・レイアウトの簡素化と製造性の向上: 使いやすいQFNパッケージを採用し、高電圧の絶縁距離への懸念に対応するためのアンダーフィルが不要で、基板の製造性とコスト低減を実現

ツールとソフトウェア
『LMG5200』評価モジュールのご注文が可能です。また、『LMG5200』向けのPSpiceやTINA-TIシミュレーション・モデルを提供しており、GaN技術が実現する性能やスイッチング周波数の面でのメリットの理解が可能です。

供給と価格
『LMG5200』GaNパワー・ステージ・プロトタイプのサンプルはTI Storeで販売中で、単価（参考価格）は50ドル、最大注文可能数量は10個です。『LMG5200』評価モジュールは単価（参考価格）299ドルでご購入いただけます。

TIのGaNソリューション関連情報
・TIのGaNソリューションの包括的製品ラインアップの詳細
・関連のホワイトペーパー
　　+シリコンベースの半導体と比較した場合のGaN FETモジュールの性能の利点（英文）
　　+GaN製品の信頼性を確認するための包括的な手法（英文）
　　+GaNの将来性に基づく電源ソリューションの向上（英文）

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