SCJ-15-004
2015年1月28日

日本テキサス・インスツルメンツは、ホットスワップやORing電源向けに、業界最小のドレイン・ソース抵抗（Rdson）を実現し、QFNパッケージに封止した25V動作『CSD16570Q5B』と30V動作『CSD17570Q5B』などの、Nチャネル・パワーMOSFET 11製品をNexFET™製品ラインアップに追加したと発表しました。新製品のうち、低電圧電池駆動機器向けの12V動作『CSD13383F4』FemtoFET™は0.6 mm × 1mmの小型パッケージを採用しており、競合製品に比べてドレイン・ソース抵抗を84パーセント低減しています。製品の詳細、無償サンプル、リファレンス・デザインに関しては、http://www.tij.co.jp/csd16570q5b-pr-jpをご覧ください。

『CSD16570Q5B』と『CSD17570Q5B』NexFET MOSFETは、コンピューティング・サーバーや通信機器で、大電流出力時の変換効率を向上し、安全な動作を確保します。25V動作の『CSD16570Q5B』の場合は最大0.59mΩ、30V動作の『CSD17570Q5B』の場合は最大0.69mΩのドレイン・ソース抵抗をサポートします。技術参考資料として、ブログ記事「ホットスワップやORing用FETコントローラ設計のためのパワーMOSFETの安全動作領域曲線（英語）」をご参照ください。また、TIの『CSD17570Q5B』NexFETを使った12V、60Aのホットスワップのリファレンス・デザインも用意しています。

また、『CSD17573Q5B』と『CSD17577Q5A』はDC/DCコントローラ『LM27403』との組み合わせにより、包括的な同期整流コンバータ・ソリューションを提供します。『CSD16570Q5B』と『CSD17570Q5B』NexFETパワーMOSFETは、『TPS24720』などのTIのホットスワップ・コントローラとの組み合わせが可能です。通過素子としてのトランジスタの選択法と、あらゆる動作条件下での安全動作の確保に関するアプリケーション・ノート「堅牢なホットスワップ回路の設計（英語）」もダウンロードできます。

新しいNexFETの特長
 

供給、パッケージ、価格
新製品は量産出荷中で、1,000個受注時の単価（参考価格）はFemtoFET『CSD13383F4』の0.10ドルからNチャネル・パワーMOSFET『CSD16570Q5B』、『CSD17570Q5B』の1.08ドルまでです。

『CSD16570Q5B』そのほかの特性表

『CSD17573Q5B』そのほかの特性表

TIの電源IC関連情報とツール
・　NexFETパワーMOSFETセレクション・ガイド
・　TIのWEBENCH^® Power Designerオンライン電源設計支援ツール
・　TI Designsリファレンス・デザイン・ライブラリ収録の各種電源関連リファレンス・デザイン

TIのNexFETパワーMOSFET
TIのNexFETパワーMOSFETは、大電力コンピューティング、ネットワーキング、産業機器や電源の電力効率を向上します。TIのアナログ・パワーMOSFETは高周波数、高効率を特長としており、設計の際に今日最も先進的なDC/DC電力変換ソリューションの利用を可能にします。

※WEBENCHはTexas Instrumentsの登録商標です。FemtoFETおよびNexFETはTexas Instrumentsの商標です。その他すべての商標および登録商標はそれぞれの所有者に帰属します。