CORPPR-14-007
2014年11月7日

テキサス・インスツルメンツは、中国、四川省の成都市の半導体製造施設の製造能力を拡大し、300mmウェハのバンプ施設を追加すると発表しました。この成都市の半導体製造施設へのプロセスの追加によって、TIのアナログ製造能力と、顧客各社の需要への対応能力は、さらに強化されます。

TIは、この新しい事業の発表とともに、TIの7番目の組立て/テスト（A/T）施設のグランド・オープニングの祝賀イベントを開催しました。2013年12月にUTAC Chengdu Ltdから買収した、この総面積358,000 平方フィート（約32,738平方メートル）のA/T施設は、現在、認証取得済で、アドバンスド・クワド・フラット・ノーリード（QFN）パッケージ・テクノロジを使った製造を行っています。

TIの中国国内の半導体製造施設への投資は、2010年に、成都市の最初のウェハ製造プラントの設置から開始されました。TIは投資を拡大し、操業を開始した、隣接のA/T施設を設置しました。 TIでは、今後、成都ハイテクゾーン（CDHT）キャンパスに300mmウェハ・バンプ施設を追加し、当地での操業をさらに拡大します。

TIのテクノロジ・アンド・マニュファクチャリング・グループ担当シニア・バイスプレジデントのケビン・リッチー（Kevin Ritchie）は次のように述べています。「CDHTは、中国西部でも集中的に経済開発がなされてきた地域であり、投資や官庁サービス向けに、強い環境を提供してきました。TIでは、成都市に設置したワールドクラスの施設を300mmウェハの 製造能力によって拡張することで、顧客各社への製品供給の継続性をさらに確保し、各社の成長をサポートできることを嬉しく思います」

ウェハ・バンプ工程は、組立て前に行われる、複数のアドバンスド・パッケージ・テクノロジ向けの製造プロセスです。このプロセスは、ワイヤ・ボンディング工程の代わりに、各デバイスに、ウェハ・レベルでハンダを複数のバンプ（ボール）という形で取り付けます。TIのウェハ製造の40パーセント近くが、このバンプ工法を使用しています。

今回の投資計画は、TIの設備投資予測に影響を与えることはありません。TIでは、自社の設備投資レベルを、引き続き、売上の4パーセントに維持する計画です。

TIでは、広範囲の中国顧客各社に、27年以上に渡って半導体を供給してきた実績を持つとともに、成都市のウェハ製造施設および上海の製品流通センターのほか、営業およびアプリケーション・サポートのための18カ所の営業所、4カ所の研究開発センター、それに上海に製品流通センターを展開しています。本日の、新しい製造施設の開設によって、成長中の顧客基盤に、設計、製造から営業や製品の流通に至るまで、あらゆる段階で、さらに優れたサービスとサポートを提供できるようになりました。

TIは、米国、メキシコ、ドイツ、スコットランド、中国、マレーシア、日本、台湾およびフィリピンを含む全世界に製造施設を展開、運営しています。TIの300mmウェハ製造施設としては、米国テキサス州リチャードソンの業界初の300mmアナログ製造施設、ダラスのDMOS6ウェハ製造施設やフィリピンとダラスのバンプ施設などがあります。

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