SCJ-13-109

2013年11月21日

日本テキサス・インスツルメンツは、スマートフォン、タブレットなどの実装面積に制約のある携帯機器向けに、低導通時抵抗を提供する業界最小のMOSFETを発表しました。新しいFemtoFET™ MOSFETトランジスタ・ファミリは、超小型パッケージを採用し、100mΩ未満のオン抵抗を実現します。詳細、無償サンプル、SPICEモデルについては、http://www.tij.co.jp/femtofet-pr-jpをご覧ください。

今回発表したFemtoFET MOSFETの6新製品は、それぞれ3種類のNチャネル製品とPチャネル製品で構成されており、ランド・グリッド・アレー（LGA) パッケージの採用により、チップスケール・パッケージ（CSP） と比較し、基板面積を最大40パーセント低減しています。『CSD17381F4』と『CSD25481F4』 はオン抵抗を100mΩ未満と、競合製品に対し70パーセントも低減可能です。新製品はすべて、4,000Vを超える人体モデル（HBM）静電気放電 （ESD）保護機能を提供します。製品に関するビデオ（英語）は、こちらからご覧ください。

今回の新製品は、携帯電話などの携帯機器向けの『CSD25213W10』（Pチャネル）や『CSD13303W1015』（Nチャネル）などのTIのNexFETパワーMOSFET 製品ラインアップに新たに追加された製品です。TIは、『LP5907』高出力電流、低ドロップアウト（LDO）リニア電圧レギュレータ、『TPS65090』フロントエンド電源管理ユニット（PMU）など、携帯機器の基板面積と消費電力を低減する包括的な電源管理製品ラインアップを提供しています。

FemtoFET MOSFET製品ファミリの主な特長

• 競合製品と比較して70パーセントも低い100mΩ未満のON抵抗を提供、消費電力の低減と電池使用時間の延長を実現
• 1.0 x 0.6 x 0.35mmのLGAパッケージ の採用により、標準のCSPパッケージと比較しサイズを40パーセント低減
• 連続ドレイン電流範囲は1.5Aから 3.1Aで、類似製品と比較し2倍強の性能を実現

価格と供給
FemtoFET MOSFETの6新製品は量産出荷中で、TIと販売特約店から供給されます。1,000個受注時の単価（参考価格）は、『CSD17483F4』の0.06ドルから、『CSD17381F4』の0.10ドルまでです。

『CSD17381F4』そのほかの特性表

『CSD25481F4』そのほかの特性表

TIの電源管理製品ラインアップに関する情報は、こちらからも参照できます。

• TIのWEBENCH^® Power Designerオンライン設計支援ツールを使って包括的な電源管理回路を設計
• TIの PowerLab™ リファレンス・デザイン・ライブラリから、電源のリファレンス・デザインをダウンロード

TIのコンシューマ・エレクトロニクス向けアナログ製品
TIの広範な電源ICとアナログ・シグナル・チェーン製品は、高性能、低消費電力、高集積を特長としており、革新的で個性的なコンシューマ・エレクトロニクス製品の開発を可能にします。TIは、ジェスチャ認識、触覚フィードバック、先進電池充電、ワイヤレス充電、オーディオ、ヘルスケア技術などの分野で、未来の技術を創造しています。TIのアナログ製品の詳細については、http://www.tij.co.jp/consumer-pr-jpをご覧ください。

電源製品の情報共有や設計の問題解決には、TI E2E日本語コミュニティの電源フォーラムをご利用ください。

※　WEBENCHはTexas Instrumentsの登録商標です。FemtoFET、NexFETおよびPowerLabはTexas Instrumentsの商標です。その他すべての商標および登録商標はそれぞれの所有者に帰属します。