SCJ-12-016

2012年2月6日

日本テキサス・インスツルメンツは、高密度パワーコンバータでMOSFETおよび窒化ガリウム（GaN）パワー電界効果トランジスタ（FET）とともに使用するローサイド・ゲート・ドライバを発表しました。新しい『LM5114』ゲート・ドライバは同期整流器や高力率コンバータなどのローサイド・アプリケーションでGaN FETおよびMOSFETを駆動します。2011年に発表した業界初の100VハーフブリッジGaN  FETドライバ『LM5113』を含むFETドライバ・ファミリ製品は、高性能テレコム、ネットワーキング、データセンタ・アプリケーションに使用されるハイパワーGaN FETとMOSFETに対し、包括的な絶縁型DC/DC変換ドライバ・ソリューションを提供します。詳細情報およびサンプル、評価ボードの注文については、www.tij.co.jp/gan-prjpをご覧ください。

『LM5114』は5Vの電源電圧とは独立したシンク/ソース出力を使用することにより、標準MOSFETとGaN FETを駆動します。『LM5114』は、大型あるいは並列型FETが使用される大電力アプリケーションで必要な7.6Aの高いピーク・ターンオフ電流性能を提供します。また、プルダウン強度の向上により、GaN FETの適切な駆動が可能になります。独立ソース/シンク出力により、ドライバ・パスでダイオードが不要になり、立ち上がり/立ち下がり時間の精密な制御が可能です。

TIはFETドライバ・ファミリとして、『LM5114』、新しくmicro SMDパッケージで提供する『LM5113』、3月にリリース予定の4A/8A『UCC27511』ローサイド・ゲート・ドライバのほか、GaN FET技術の利点を最大限に発揮できる製品を、2月6日から8日までフロリダ州オーランドで開催されるApplied Power Electronics Conference and Expo (APEC)  のブース401に出展します。APECはパワーエレクトロニクス専門家のための業界をリードするコンファレンスです。

『LM5114』ローサイド・ゲート・ドライバの主な特長と利点:

・最適な立ち上がり/立ち下がり時間を実現する独立ソース/シンク出力により、効率の向上を実現

・+4V～+12.6Vの単一電源により、広範なアプリケーションをサポート

・0.23Ωオープン・ドレイン、プルダウン、シンク出力により、意図しないターンオンを防止

・7.6A/1.3Aピーク・シンク/ソース・ドライバ電流により、DV/DT耐量を最大化

・反転および非反転入力間の遅延時間マッチングにより、デッドタイム・ロスを低減

・12ns（代表値）の伝搬遅延時間により、高効率を維持しながら高いスイッチング周波数を実現

・VCCに関わらず最大14Vのロジック入力

・-40℃から +125℃までの動作温度範囲

価格、パッケージおよび供給について