SCJ-11-019

2011年3月17日

日本テキサス・インスツルメンツは、基板実装面積の縮小に役立つ、3mm角のSONパッケージで供給される、NexFET Power Block製品、『CSD86330Q3D』を発表しました。この新製品は、3mm角のQFNパッケージの外付けMOSFETが2個必要な、市場の同種の電源ソリューションと比較して、約半分の基板実装面積で、15Aの出力電流時に90%を超える電力変換効率を提供します。『CSD86330Q3D』NexFET Power Blockは、サーバー、デスクトップおよびノートPC、ネットワーク装置、携帯基地局、ハイエンドのコンシューマ向け機器および商用電源などの各種アプリケーションにおいて、同種の電源ソリューションと比較して、電源ロスおよび出力電流能力の両面で、大幅な利点を提供します。

製品に関する情報はこちらからも参照できます。

• 『CSD86330Q3D』NexFET Power Blockの詳細: http://www.tij.co.jp/powerblock
• TIのNexFETパワー・ブロック: http://www.tij.co.jp/mosfet
• NexFETテクノロジーに最適化されたDC/DCコントローラ製品: 『TPS40303』、『TPS40304』、『TPS40305』、『TPS51217』、『TPS51218』および『TPS53219』

『CSD86330Q3D』は、数々の賞に輝いたTIのNexFET Power Blockデバイス・ファミリーの最新製品です。2010年には、TIのNexFET Power Blockは、権威あるElectronic Products Magazineの「2010 Product of the Year」賞を授賞しました。この賞は、同誌の編集委員が、毎年発表される何千件もの新製品の中から傑出した製品を数件選定して授与するものです。TIのNexFET Power Blockの授賞は、その設計および大幅な性能の利点によるものです。そのほかに、『CSD86330Q3D』はEDN Magazineの「Hot 100 Product of 2010」に選定されるとともに、ECN Magazineの「Tech Awards 2010 Reader's Choice」にも選ばれました。

『CSD86330Q3D』NexFET Power Block の主な特長と利点

• 3mm角のSONパッケージで供給されることから、3mm角のQFNパッケージの外付けFETを2個使用する場合と比較して、基板実装面積を半分に縮小できます。
• 高い電力変換効率とともに、自然空冷、出力電流15A動作時に、35℃と低い温度上昇を実現します。
• 高い電力密度を実現できることから、基板実装面積を最高10mm² 縮小できます。
• 電源ロスを増加させずにスイッチング周波数を2倍にできることから、同種のソリューションと比較して、出力フィルタのサイズの縮小およびコストの低減を提供します。
• グラウンド電位の放熱パッドを露出した、3mm角のSONパッケージで供給されることから、基板レイアウトの簡素化および、放熱特性の向上を提供します。

価格および供給について