単一パッケージ内に2個の『NexFET』 MOSFETを内蔵、大電流、マルチフェーズのPOLアプリケーション向けの高性能同期型デバイス

 

SCJ-10-053

2010年6月9日

 

日本テキサス・インスツルメンツは、同種のパワーMOSFETデバイスの半分のサイズで、出力電流25Aにおいて90%を超える高い効率の同期型ハーフ・ブリッジ『CSD86350Q5D』パワーブロックを発表しました。『CSD86350Q5D』は、1個の革新的なパッケージ内に、2個の非対称な『NexFET』パワーMOSFETを内蔵し、サーバー、デスクトップおよびノートPC、基地局、スイッチ、ルーターおよび大電流のPOL（point-of-load）コンバータをはじめとした、低電圧同期整流降圧型ハーフ・ブリッジを使用する各種アプリケーション向けです。

 

•  『CSD86350Q5D』の詳細: http://www.tij.co.jp/powerblock-prjp
•  TIの『NexFET』ポートフォリオhttp://www.ti.com/mosfet-pr（英文）
•  『NexFET』テクノロジーに最適化されたDC/DCコントローラ製品: 『TPS40303』、『TPS40304』、『TPS40305』、『TPS51217』および『TPS51218』

 

『CSD86350Q5D』NexFETパワーブロックは、効率および電力密度の向上のほか、1.5MHzまでのスイッチング周波数で最高40Aの出力電流を供給できることから、ソリューション全体のサイズの縮小およびコストの低減に役立ちます。最適化されたピン配置および、グラウンド電位のリード・フレームで供給されることから、開発期間の大幅な短縮および回路全体の性能向上に役立ちます。さらに、『CSD86350Q5D』NexFETパワーブロックは、低コストを保ちながら、GaN（窒化ガリウム）をはじめとした、そのほかの半導体テクノロジーと同等の性能を実現します。

 

『CSD86350Q5D』の主な機能と特長

•  2個の5mm×6mmのQFNパッケージのMOSFETの半分の実装面積を提供する、業界標準の5mm×6mmのSONパッケージ外形で供給されます。
•  出力電流25A時に90%を超える変換効率を提供することから、競合デバイスと比較して、2%高い効率と、20%低い電力損失を提供します。
•  他ソリューションと比較して、電力損失を増加させずにスイッチング周波数を2倍に向上します。
•  底部にグラウンド電位の放熱パッドを備えたSONパッケージで供給されることから、基板レイアウトの簡素化に役立ちます。

 

供給および価格について

『CSD86350Q5D』NexFETパワーブロックは現在量産出荷中で、TIおよび販売代理店から供給されます。パッケージは5mm×6mmのSONパッケージです。1,000個受注時の単価（参考価格）は1.75ドルです。サンプルおよび評価モジュールも供給中です。

 

『CSD86350Q5D』の特性表

項目	CSD86350Q5D
ドレイン-ソース電圧 VDS	25 V
ゲート-ソース電圧 VGS	+10 V/-8 V
動作電流（max）	40 A
入力電圧（max）	22 V
スイッチング周波数	200 kHz～1500 kHz
動作温度範囲	-55 ℃ ～ 150 ℃
ピン/パッケージ	8ピンSON
定格	データシート参照
1,000個受注時の単価　（参考価格）	1.75 ドル

 

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