2010年01月14日
標準的な基板実装面積の革新的なパッケージで、
最高で80%も高い電力損失と、50%も高い電流を提供する、
『DualCool』(デュアルクール)『NexFET』パワーMOSFET
SCJ-10-006 2010年1月14日
日本テキサス・インスツルメンツは、高電流のDC/DCアプリケーション向けに、業界で初めて、標準的な形状のパッケージでありながら、パッケージの上端で放熱を行うパワーMOSFETの製品ファミリーとして、『DualCool™ NexFET™』パワーMOSFETを発表しました。これらの新製品は、最終機器のサイズを縮小しながら、最高50%も高い出力電流を提供すると同時に、他の標準的な形状のパッケージの製品と比較して、放熱特性を向上します。
今回発表された『NexFET™』新型製品ファミリーの5製品は、コンピューティングおよび通信システムの設計において、より大容量のメモリを備えた高い電源電流のプロセッサを使用可能にすると同時に、基板実装面積の縮小に役立ちます。これらのMOSFETは進歩したパッケージで供給されることから、デスクトップPC、サーバー、通信装置、ネットワーキング装置、基地局、高電流の工業用システムをはじめとした、はば広い最終機器のアプリケーションで使用できます。
TIのシニア・バイスプレジデント兼パワー・マネージメント担当ワールドワイド・マネージャであるスティーブ・アンダーソン(Steve Anderson)は次のように述べています。「顧客各社は、はば広いインフラストラクチャ市場における、より高い処理能力の要件を満足するため、より小型でより高電流のDC/DC電源を求めています。従来と同一の形状で、より多くの電流供給能力を提供する『DualCool™ NexFET™』パワーMOSFETは、これらの要件に対応します」
『DualCool™ NexFET™』の主な特長と利点
供給および価格について
『DualCool™ NexFET™』パワーMOSFET は量産出荷中で、TIおよび販売代理店から供給されます。『CSD16325Q5C』MOSFETの1,000個受注時の単価(参考価格)は1.47ドルです。
サンプルおよびアプリケーション・ノートも供給中です。
『CSD16325Q5C』他の特性表
項目 | CSD16321Q5C | CSD16322Q5C | CSD16325Q5C | CSD16407Q5C | CSD16408Q5C |
ドレイン-ソース電圧VDS | 25 V | 25 V | 25 V | 25 V | 25 V |
ゲート-ソース電圧VGS | +10 V/-8 V | +10 V/-8 V | +10 V/-8 V | +16 V/-12 V | +16 V/-12 V |
ゲート-ソース・スレッシュホールド電圧VGSTH | 1.1 V | 1.1 V | 1.1 V | 1.6 V | 1.8 V |
導通時抵抗 RDSon | 2.8 mΩ(VGS = 3 V)、2.1 mΩ(VGS = 4.5 V) | 5.4 mΩ(VGS = 3 V)、4.6 mΩ(VGS = 4.5 V) | 2.1 mΩ(VGS = 3 V)、1.7 mΩ(VGS = 4.5 V) | 2.5 mΩ(VGS = 4.5 V)、1.8 mΩ(VGS = 10 V) | 5.4 mΩ(VGS = 4.5 V)、3.6 mΩ(VGS = 10 V) |
ゲート-ドレイン電荷量 QGD | 2.5 nC | 1.3 nC | 3.5 nC | 3.5 nC | 1.9 nC |
ゲート-ソース電荷量 QGS | 4 nC | 2.4 nC | 6.6 nC | 5.3 nC | 3.1 nC |
ゲート電荷量 QG | 14 nC | 6.8 nC | 18 nC | 13.3 nC | 6.7 nC |
定格 | データシート参照 | データシート参照 | データシート参照 | データシート参照 | データシート参照 |
動作温度範囲 | -55 ℃ ~ +150 ℃ | -55 ℃ ~ +150 ℃ | -55 ℃ ~ +150 ℃ | -55 ℃ ~ +150 ℃ | -55 ℃ ~ +150 ℃ |
1,000個受注時の単価(参考価格) | 1.47 ドル |
※ すべての商標および登録商標はそれぞれの所有者に帰属します
RSS配信について
日本TIでは、製品・技術に関するニュースリリースをRSS配信しています。以下のページにある「RSS配信」のコーナーで「日本TIニュースリリース」をクリックしてください。
http://focus.tij.co.jp/jp/general/docs/rss.tsp