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日本TI、DDR3メモリー・モジュール向け高性能レジスタ、業界初の量産開始を発表

2008年04月24日

各種メモリー・モジュール向けに高い安定度と高性能を提供する新製品

SCJPR-08-033 2008年4月24日

日本テキサス・インスツルメンツ(本社:東京都新宿区、社長:山崎俊行、略称:日本TI)は本日、DDR3 RDIMM(レジスタード・デュアル・インライン・メモリー・モジュール)向けに、PLLを内蔵したDDR3レジスタ製品、『SN74SSQE32882』を業界で初めて量産開始したことを発表しました。この新製品は電源電圧および温度の変化に対して安定したクロック周波数および出力遅延特性を提供します。ワンチップでクワッド・ランクをサポートしていることから、サーバ、ワークステーション、記憶装置などの回路基板の面積を全体的に削減するとともに、消費電力の低減に役立ちます。本件に関する詳細は http://www.tij.co.jp/sn74ssqe32882から参照できます。

今回発表された『SN74SSQE32882』は、1.5Vの電源電圧で動作する28~56ビットのレジスタード・バッファであり、記憶データの信頼性を向上するパリティ機能をサポートしています。また800Mbps~1,333Mbpsと高いデータレートをサポートするほか、1個のモジュール内で最高72個のDRAMをサポートできます。

『SN74SSQE32882』のその他の特長

  • CKEパワー・ダウン
  • コントロール・モード・レジスタを内蔵
  • 各出力信号の強度を調整可能
  • 動作周波数範囲: 300 MHz~670 MHz

『SN74SSQE32882』はJEDEC(*注) が定めた温度および電圧に対する安定度の要件を超える高性能を提供します。この性能により高性能のサーバ・システムにおいて高い信頼性を確保できます。

(*注): JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council): EIA(米国電子工業会)の一部門で、SDAMやDIMMなどのメモリー・モジュールをはじめ、電子部品の標準化を推進する機関。

TIのインターフェイス・クロック製品グループ、総責任者のニック・ハッサン(Nick Hassan)は次のように述べています。「TIが、DDR3レジスタ製品を業界で初めて市場に出荷することに喜びをおぼえます。TIは業界をリードするパートナー各社との協力によって、DDR3システムの性能および安定度に関する厳しい要求条件を超える性能を提供する『SN74SSQE32882』を開発しました」

設計を簡素化するDDRソリューションを供給
TIの新型DDR3レジスタは、業界をリードするTIのDDR2レジスタおよびPLLデバイス(『CDCUA877』および『SN74SSTUB32866』等) の包括的なDDR向け製品群のポートフォリオに追加されます。
またTIではDDRシステムのすべてのパワー・マネジメント要件をサポートし、外付け部品点数を大幅に低減する『TPS51116』および『TPS51100』DC/DCコントローラも提供しています。

『SN74SSQE32882』の特性表

項目 SN74SSQE32882
電源電圧範囲 1.425 ~ 1.575 V
動作周波数範囲 300 ~ 670 MHz
サイクル・ジッタ 40 ps
位相誤差 max 50 ps
入力レベル SSTL_15
出力数 60
ピン/パッケージ 176BGA(鉛フリー)
動作温度範囲 0 ~85 ℃

価格と供給について
現在、『SN74SSQE32882』は176ボールMicroStar™ BGAパッケージで量産出荷中です。
1,000個受注時の単価(参考価格)は5.90ドルです。

*すべての商標および登録商標はそれぞれの所有者に帰属します。