サンプルおよび注文カート | 2006年07月31日
日本TI | 日本TI、サーバおよびDC/DC電源システム向けに高速動作の4A MOSFETドライバを発表
|
||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||
 日本テキサス・インスツルメンツ（本社：東京都新宿区、社長：山崎俊行、略称：日本TI）は本日、出力電流4A（アンペア）、高速動作、Nチャネル駆動のパワーMOSFET（酸化金属被膜電界効果トランジスタ）用の同期整流ドライバ、『TPS28225』を発表しました。この製品はスイッチ周波数が2MHz（メガヘルツ）のドライバICであり、応用としてVRM（電圧レギュレータ・モジュール）、ノートブックPC、二次側に同期整流回路を持つ絶縁型電源、より高い電力変換効率の要求条件を持つDC/DCコンバータなど、高電流のシングルまたはマルチ・フェーズのアプリケーションにおいて最適な電源設計を実現できます。本件に関する詳細は http://www.ti.com/sc06129（英文）から参照できます。 『TPS28225』ドライバは高効率で、かつ優れたEMI（電磁干渉）特性を実現しながら、MOSFETのゲートを4.5V（ボルト）～8.8Vの電圧範囲で制御します。最も高い電力変換効率を実現する電圧範囲は 7V～8Vです。『TPS28225』は14 ns（ナノ秒）のデッドタイム制御、14 nsの伝搬遅延時間、2Aのソース電流、4Aのシンク電流と大容量のドライブ能力などの特長を備えています。 TIのパワー・サプライ・コントロール・ビジネス担当でプロダクト・ライン・マネージャのラリー・スパジアーニ（Larry Spaziani）は次のように述べています。「標準的な5Vおよび12Vのドライブ回路を使用する場合、電源システムの設計者は、より高い動作効率および性能を常に求めます。電源関連の主要な顧客数社は『TPS28225』を使用することによって、より高いスイッチ周波数、より小型のモジュール、優れた過渡応答特性を実現しながら、電力変換効率を3%から8%も向上しています」 『TPS28225』の低電圧側のゲート・ドライバに対して0.4 Ω （オーム）と低いインピーダンスを実現することから、パワーMOSFETのゲート電位をスレッシュホールド・レベル以下に保持することができ、高いdV/dT（立ち上がり特性）を持つフェーズ・ノード過渡波形に対しても、貫通電流を確実に阻止します。内部ダイオードによって充電されるブートストラップ・コンデンサによって、ハーフ・ブリッジ接続のNチャネルMOSFETを使用することができます。 『TPS28225』はTIの『TPS40091』をはじめとするトライステート出力機能を持つあらゆるマルチ・フェーズ・コントローラと互換性を持つトライステートPWM（パルス幅変調）入力を備えています。また出力の逆電流から負荷を保護するシャットダウン・モード機能も備えています。 『TPS28225』の主な特長
価格と供給について 『TPS28225』MOSFETドライバは現在、量産出荷中で、TI および販売特約店から供給されます。パッケージは8ピンSIOCおよび、放熱特性に優れた3mm（ミリメートル）角の8ピン DFNパッケージです。1,000個受注時の単価は0.60ドルです。『TPS28225』のサンプル、デザイン・アプリケーション・ノート、TIのオンライン・パワー・マネジメント・セレクション・ツールに関しては http://power.tij.co.jp（日本語）から参照できます。 |
||||||||||||||||||||||
| ※すべての商標および登録商標はそれぞれの所有者に帰属します。 | ||||||||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||||||